信息称三星 3nm 芯片良率已超过台积电

发布时间：2023-07-18 10:14:38 所属栏目：数码来源：

导读：根据 Hi Investment & Securities 机构近日发布的报告，Samsung Foundry 在 3nm 工艺上的良率达到了60%，高于台积电（55%）。

报道称三星大力发展 3nm，不断提升生产工艺、提高生产良率，目前已经将良率提升到60%

根据 Hi Investment & Securities 机构近日发布的报告，Samsung Foundry 在 3nm 工艺上的良率达到了60%，高于台积电（55%）。

报道称三星大力发展 3nm，不断提升生产工艺、提高生产良率，目前已经将良率提升到60%，根据该传媒所了解的情况来看，三星的在该领域的能力要优于台积电。。

报告中也指出三星目前在 4nm 工艺方面良率为75%，和台积电（80%）存在差距，不过通过发力 3nm，有望在未来超过台积电。

Samsung Foundry 在 SFF 2023 上公布的最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。而且与此同时，该公司还首次公布了 SF2 热处理工艺的其它的一些令人印象深刻的特性。

（编辑：汽车网）

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