Intel四大超前封装技术：既能盖“四合院” 也能建“摩天楼”

发布时间：2023-09-08 10:31:03 所属栏目：产品来源：

导读：随着半导体制程工艺提升越来越困难，先进封装技术的重要性则愈发凸显，成为延续摩尔定律的关键。

Intel就一直在深入研究各种先进封装技术，部分已经得到广泛应用，比如EMIB、Foveros，部分已经准备就绪，比如Fove

随着半导体制程工艺提升越来越困难，先进封装技术的重要性则愈发凸显，成为延续摩尔定律的关键。

Intel就一直在深入研究各种先进封装技术，部分已经得到广泛应用，比如EMIB、Foveros，部分已经准备就绪，比如Foveros Omni、Foveros Direct。

其实，处理器虽然封装最开始的作用只是防水、防尘和散热，但随着制程技术逐渐逼近物理极限，为了满足越来越高、越来越复杂的算力需求，为了同时提高产品的能效比，更好的追求核心技术的可持续发展，一体成型的先进封装正变得越来越炙手可热的关键。

Intel的先进封装技术，一方面能够提升芯片互连密度，在单个封装中集成更多功能单元，目标是到2030年在单个设备内集成1万亿个晶体管。

另一方面，它们可以满足Intel自家产品、代工客户产品的异构集成需求，让不同供应商、不同工艺打造的芯粒（Chiplet）更好地协同工作，提高灵活性和性能，降低成本和功耗。

一、EMIB

意思是“嵌入式多芯片互连桥接”，原理就像盖四合院，把不同的芯片放在同一块平面上相互连接。

传统的2.5D封装是在芯片和基板间的硅中间层上进行布线，EMIB则是通过一个嵌入基板内部的单独的芯片完成互连，可将芯片互连的凸点间距缩小到45微米，改善设计的简易性，并降低成本。

二、Foveros

3D封装技术，原理上也不复杂，就是在垂直层面上，一层一层地堆叠独立的模块，类似建摩天大楼一样。

Foveros最早用于Lakefiled处理器，目前正在和EMIB联手用于各类产品，最典型的就是Ponte Vecchio GPU加速器，使用了5种不同工艺、47个不同芯粒。

三、Foveros Omni

相比于下一代集成电路封装技术，第三代可实现垂直层面上大芯片、水平方向小芯片高度模块化组合的光学互连，并将凸点间距继续缩小到25微米。

四、Foveros Direct

使用铜与铜的混合键合，取代会影响数据传输速度的焊接，把凸点间距继续缩小到10微米以下，从而大幅提高集成电路芯片之间的互连密度和带宽，并降低芯片的电阻。

（编辑：汽车网）

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