SK 海力士量产 238 层 4D NAND 闪存，速度提高 50% 达 2.4Gbps

发布时间：2023-06-08 10:34:28 所属栏目：产品来源：

导读：SK 海力士于今日（6 月 8 日）发布公告，宣布开始量产 238 层 4D NAND 闪存。

SK 海力士在公告中称，已开始量产 238 层 4D NAND 闪存，并正在与负责生产三星智能手机的海外客户小米公司合作伙伴进行进一步的产品可

SK 海力士于今日（6 月 8 日）发布公告，宣布开始量产 238 层 4D NAND 闪存。

SK 海力士在公告中称，已开始量产 238 层 4D NAND 闪存，并正在与负责生产三星智能手机的海外客户小米公司合作伙伴进行进一步的产品可靠性验证。

SK 海力士强调：“公司以 238 层 NAND 闪存为基础，成功开发适用于智能手机和 PC 的客户端 SSD（Client SSD）解决方案产品，并在 5 月已开始量产。公司在 176 层甚至在 238 层的产品，都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力，我们期待这些产品在今年下半年到来之前能够起到一定程度上改善公司业绩的带动牵引增长的作用。”

据介绍，238 层 NAND 闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176 层提升了 34%。此产品的数据传输速度为每秒 2.4Gb（IT之家注：千兆比特），号称比上一代的速度快 50%，并且改善了约 20% 的读写性能。

SK 海力士表示，计划在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产品供应 238 层 NAND 闪存，接着,其适用范围扩大到基于 PCIe 5.0的个人电脑固态硬盘(SSD),以及数据中心及高容量固态硬盘产品等。

（编辑：汽车网）

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