三星计划明年初量产达到300层的第九代V-NAND闪存

发布时间：2023-10-19 14:00:55 所属栏目：数码来源：

导读：10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 闪存供应商，对其 V-NAND（即三星称之为的 3D NAND）的发展有着宏大的计划，本周三星分享了一些相关信息。该公司证实，其正在按计划生产拥有超过300 层的第九代 V-NAND 闪存

10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 闪存供应商，对其 V-NAND（即三星称之为的 3D NAND）的发展有着宏大的计划，本周三星分享了一些相关信息。该公司证实，其正在按计划生产拥有超过300 层的第九代 V-NAND 闪存，并表示这将是业内层数最多的 3D NAND。

8 月份就有消息称，三星正在研发拥有超过 300 层的第九代 V-NAND，将继续采用三星在2020 年首次使用的双层技术。而且三星现在表示其 3D NAND 的有效层数将超过竞争对手，目前我们知道 SK 海力士的下一代 3D NAND 将具有 321 层，因此三星第九代 V-NAND 层数应该会更多。

层数的增加将使三星提高其 3D NAND 设备的存储密度。该公司负责人预计，未来的超高速闪存类型不仅会一定程度的提高存储密度，还会一定程度的提高固态硬盘的性能。

目前还不知道三星的第九代 V-NAND 在性能方面会有什么表现，只相信该公司会可以用这种存储器来生产其即将发布的固态硬盘，应该会采用 PCIe Gen5 接口。

至于更长期的技术创新，三星致力于最小化单元干扰、降低高度和最大化垂直层数，这将使其公司能够一步到位地实现业内迄今为止最小的平板电脑单元尺寸。这些创新将对推动三星实现拥有超过1000 层的 3D NAND 以及高度差异化的存储器解决方案的愿景起到关键作用。

（编辑：汽车网）

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