SK 海力士展示全球最高层 321 层 NAND 闪存样品，效率提升 59%

发布时间：2023-08-09 12:35:06 所属栏目：数码来源：

导读：SK 海力士今日宣布，通过 321 层 4D NAND 样品的发布，正式成为业内首家正在测试 300 层以上 NAND 闪存的企业。

SK 海力士宣布，将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。

321 层 1Tb

SK 海力士今日宣布，通过 321 层 4D NAND 样品的发布，正式成为业内首家正在测试 300 层以上 NAND 闪存的企业。

SK 海力士宣布，将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。

321 层 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 层512Gb 提高了 59%。利用多层技术可以在相同的芯片面积内储存更多数据存储单元。这样不仅实现了更大的存储容量并且还使生产同尺寸芯片的数量增加。

SK 海力士还表示，公司在目前积累的产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上，正在积极开发下一代 PCI 6.0 和 UFS 5.0 产品，以高质量致力于在可见的未来能够继续有力地引领高端旗舰手机市场。

（编辑：汽车网）

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