类 3D NAND 设计，Neo 半导体推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 层

发布时间：2023-05-10 13:32:51 所属栏目：数码来源：

导读：总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存储芯片，声称是全球首个采用类似于[3D NAND 的 DRAM，其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。

3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128

总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存储芯片，声称是全球首个采用类似于[3D NAND 的 DRAM，其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。

3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128 Gb，每个芯片 230 层，密度比目前的 2D DRAM 芯片高 8 倍。

Neo Semiconductor 认为，与其他 3D DRAM 替代方案相比，该解决方案可以更轻松地扩展，并且实施成本更低，因此使其能够成为在不久的将来彻底取代 2D DRAM 的大规模商用的可靠固态硬盘的候选者。

3D X-DRAM 技术的核心在于创新使用了浮动体单元（FBC），利用当今成熟的 3D NAND 工艺，只需要一个掩模（mask）即可定位线孔并在孔内形成单元结构。这种高效方法可以大大简化 2D DRAM 的大批量生产、产业化的实施和过渡。

根据 Neo Semiconductor 的估计，到 2025 年，存储容量可能会翻一番，达到 256 Gb，而十年内可以提供 1 Tb 容量。更多产品信息将在今年2023 年 8 月 9 日的高性能闪存工业互联网峰会上第一时间发布。

（编辑：汽车网）

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